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STD5N20中文资料

STD5N20图片

STD5N20外观图

  • 大小：105.09KB
  • 厂家：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述：N - CHANNEL 200V - 0.7ohm - 5A - TO-251/TO-252 POWER MOS TRANSISTOR
  • 典型接通延迟时间：18 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：19 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：350 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：6.2mm
  • 封装类型：DPAK
  • 尺寸：6.6 x 6.2 x 2.4mm
  • 引脚数目：3
  • 最低工作温度：-65 °C
  • 最大功率耗散：45000 mW
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：200 V
  • 最大漏源电阻值：0.8
  • 最大连续漏极电流：5 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：单
  • 长度：6.6mm
  • 高度：2.4mm

STD5N20供应商

更新时间:2023-02-03 22:29:45
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