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STD5N20中文资料

STD5N20图片

STD5N20外观图

  • 大小:105.09KB
  • 厂家:STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述:N - CHANNEL 200V - 0.7ohm - 5A - TO-251/TO-252 POWER MOS TRANSISTOR
  • 典型接通延迟时间:18 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:19 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds:350 pF V @ 25
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:6.2mm
  • 封装类型:DPAK
  • 尺寸:6.6 x 6.2 x 2.4mm
  • 引脚数目:3
  • 最低工作温度:-65 °C
  • 最大功率耗散:45000 mW
  • 最大栅源电压:±20 V
  • 最大漏源电压:200 V
  • 最大漏源电阻值:0.8
  • 最大连续漏极电流:5 A
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:单
  • 长度:6.6mm
  • 高度:2.4mm

STD5N20供应商

更新时间:2023-02-03 22:29:45
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